몇단까지 쌓아볼텐가? 3D NAND 탑쌓기는 어디까지?

삼성전자는 DRAM시장 제패에 이어 NAND까지, 특히 3D NAND 메모리 시장에서 세계1위를 굳건히 지키고 있습니다.

 

하지만 NAND 시장은 DRAM처럼 독과점이 아닌 무한경쟁 상태입니다. 하이닉스, 키옥시아(구. 도시바)를 비롯하여 인텔, 마이크론, 게다가 중국 자본 버프를 받고 있는 YMTC까지..

 

과거 2차례 발발했던 DRAM 치킨게임이 곧 NAND에서도 시작되지 않을까 싶습니다.

이에 맞서 삼성은 DRAM 치킨게임에 이어 NAND에서도 경쟁자들을 학살할 준비를 하고 있었으니..

 

그 이름하여 "7세대 VNAND 192단" 되겠습니다.

 

따라올테면 따라와봐.. 기술의 삼성 192단 들어간다~

 

3D NAND 또는 VNAND라고 불리우는 이 괴물같은 NAND 메모리의 등장으로,

과거 메모리카드하면 8~16GB에 불과했던 용량이 512GB를 넘어 TB를 넘보기 시작하게 되었죠.

 

3D NAND의 전신이라고 할 수 있는 2D NAND 시절의 경쟁은 한정된 공간에 얼마나 오밀조밀하게 메모리 Cell을 집어넣냐의 게임이었습니다.

 

한정된 부지에 얼마나 많은 Cell을 집어넣느냐의 게임..

 

문제는 15nm 대까지 밀집도를 좁힐 경우, Cell에 저장된 전하가 옆에 있는 Cell까지 영향을 주게되고 데이터가 지워지거나 채워지는 현상이 발생합니다.

 

즉, 아무리 노광공정을 개선해도 근본적인 기술의 한계에 부딪힌 것이지요.

 

이때 도시바와 삼성은 2D 구조의 Floating Gate를 위로 적층하여 쌓는 3D NAND를 고안하게 됩니다.

 

이렇게 2D에서 3D로 바꿀 경우 Cell간 간섭 현상이 없애면서 한정된 공간에 아파트처럼 높게 높게 올려 면적당 Cell 밀도를 증가시킬수가 있습니다.

 

그래서 처음엔 2D 대체를 위한 시범모델의 성격으로 24단부터 상용화가 시작됩니다.

바로 삼성이 2013년 24단 VNAND 1세대를 발표한 것이지요.

 

2D NAND를 위로 Vertical하게 쌓아만든 3D V-NAND

 

이후, 도시바, 하이닉스가 연달아 3D NAND를 내놓으며 NAND 시장에 춘추전국시대가 열리게 됩니다.

 

하이닉스 역시 삼성을 따라잡고자 공격적으로 3xx단 NAND까지 로드맵을 내놓기도 했습니다

 

공밀레 공밀레 ... 300단까지 가즈아

 

삼성과 하이닉스를 비롯한 반도체 회사들이 NAND로 탑을 쌓는 이유는 바로 치열한 경쟁 때문입니다.

세계 1위 삼성을 비롯, 5위권인 하이닉스, 그리고 도시바와 인텔, 마이크론 등 쟁쟁한 강자들이 미래 NAND시장 독식을 위해 오늘도 NAND 탑 쌓기에 열중인 상황입니다.

 

 

그 중에서도 삼성의 VNAND 7세대 개발 완료(192단)은 NAND 200단 고지 돌파를 향한 신호탄으로 해석할 수 있겠습니다. 

 

과연 3D NAND 전쟁의 끝은 어디일지.. 그리고 최후의 승자는 누가 될지... 여러분도 예상해보시길 바랍니다.

 

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